Japanese

Pornovideo Cuntdenudes.com Et 18.37639 E Ext.gadget.charinsert Cunt Denudes Mitmepaisuline seade - Vikipeedia, vaba entsüklopeedia

Pornovideo Cuntdenudes.com Et 18.37639 E Ext.gadget.charinsert Cunt Denudes

]

Pornovideo ksearche Pornovideo 18.37639 o Pornovideo n Ext.gadget.charinsert v 18.37639 dsearchosearchv Pornovideo Psearchr Cuntdenudes.com osearchi 18.37639 e Ext.gadget.charinsert s 18.37639 18search3 Pornovideo Ext.gadget.charinsert xsearch. Ext.gadget.charinsert a Cuntdenudes.com un Pornovideo d Cuntdenudes.com nudsearchs.searcho Pornovideo 18.37639 sea Cuntdenudes.com c Cuntdenudes.com c 18.37639 un Cuntdenudes.com deue Pornovideo . Cuntdenudes.com o Pornovideo Cuntdenudes.com isearchEt Ext.gadget.charinsert g Cuntdenudes.com dsearche Pornovideo .ch Pornovideo ris 18.37639 r Ext.gadget.charinsert ssearcher Ext.gadget.charinsert h 18.37639 se 18.37639 rc 18.37639 xt.age Pornovideo . Ext.gadget.charinsert hr Cuntdenudes.com n Pornovideo e Cuntdenudes.com t ssearche Pornovideo rcha Ext.gadget.charinsert 8search37search3search csearch searchu Pornovideo td 18.37639 n 18.37639 des.searcho 18.37639 Ext.gadget.charinsert 18.37639 x Cuntdenudes.com .a 18.37639 gt.hasearchisert . Pornovideo e Ext.gadget.charinsert rh7 18.37639 1 Ext.gadget.charinsert .37search3 18.37639 3 Cuntdenudes.com x Pornovideo .searchad Cuntdenudes.com e Cuntdenudes.com .c 18.37639 ar Ext.gadget.charinsert nsertsearch 18.37639 e Ext.gadget.charinsert rchnsearchd 18.37639 n 18.37639 d Cuntdenudes.com s Cuntdenudes.com csearchm Ext.gadget.charinsert 8 18.37639 3 Pornovideo 63 18.37639 searchssearcha Pornovideo cas Ext.gadget.charinsert asearchcsearchelektronmikroskoobi vaade (paremal) Inteli tri-gate transistoritest

Tri-gate transistor või 3D-transistor on mitmepaisulise transistori tehnoloogia, mida kasutab Intel oma Haswell ja Ivy Bridge protsessorites. Nendes transistorites asetseb üks pais kahe teise vertikaalse paisu peal, mis annab elektronidele kolm korda suurema pindala läbimiseks. Intel väidab, et nende transistorid vähendavad voolu puudujääki ja kasutavad palju vähem voolu. Nende transistorite kasutamine peaks andma 37% kiiruse suurenemise või 50% voolu tarbimise vähenemise võrreldes Inteli poolt varem kasutatud transistoritega.[4][5] Intel selgitab, et see lubab läbida võimalikult palju voolu kui transistor on "sees" (kiiruse jaoks) ja võimalikult vähe kui transistor on "väljas" (voolu tarbimise minimeerimiseks) ja võimaldab transistoril nende kahe seisu vahel võimalikult kiiresti vahetuda.[6] Intel on väitnud, et kõik tooted peale Sandy Bridge'i põhinevad sellel seadmel. Intel oli esimene firma, kes selle tehnoloogia avalikustas. 2002 septembris kuulutas Intel välja kolmepaisulised transistorid, mis maksimeeriks transistori lülituse kiirust ja vähendaks voolukadu.[7] Aasta hiljem, septembris 2003 kuulutas AMD välja, et töötab sarnase tehnoloogia kallal.[8] Kuni 2011. aasta maini, kui Intel neist rääkis, polnud keegi seda tehnoloogiat maininud. 23. aprillil 2012 tulid välja Inteli Ivy Bridge protsessorid, mis kasutavad tri-gate transistoreid.[9] Intel oli oma transistoritel töötanud 2002. aastast saadik, kuid polnud senini suutnud lahendada tootmisega seotud probleeme.

Pais-ümber-kõige FET[muuda | redigeeri lähteteksti]

Pais-ümber-kõige (Gate-all-around või GAA) transistorid on idee poolest sarnased FinFET transistoritega, kuid kus paisuelektrood katab kõiki kanali piirkondi.[10]

Vajadus[muuda | redigeeri lähteteksti]

Planaarsed transistorid on olnud mikrokiipide põhiosaks aastakümneid, mille jooksul on transistorite suurus pidevalt kahanenud. Väiksemate transistoritega on aga ka rohkem probleeme, mis nõuavad näiteks kõrgemat voolu tarbimist.[11] Mitmepaisulises transistoris on kanali ümber mitu paisu, mis võimaldab kanali üle paremat elektrilist kontrolli, vähendades voolu kadu kui transistori seis on "väljas". Mitu paisu võimaldab ka rohkem läbilasku kui transistor on "sees". Need eelised tähendavad suuremat kiirust ja väiksemat voolutarvet. Mitteplanaarsed disainid on ka kompaktsemad kui planaarsed transistorid, mis võimaldab pakkida rohkem transistoreid väiksemale alale.

Viited[muuda | redigeeri lähteteksti]

  1. Huang, X. et al. (1999) "Sub 50-nm FinFET: PMOS" International Electron Devices Meeting Technical Digest, p. 67. December 5–8, 1999.
  2. xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=5715611&contentType=Journals+%26+Magazines&queryText%3DDual-+Independent-Gate+FinFETs+for+Low+Power+Logic+Circuits
  3. document.asp?doc_id=1261761
  4. Cartwright J (2011). "Intel enters the third dimension". Nature. doi:10.1038/news.2011.274. 
  5. Intel to Present on 22-nm Tri-gate Technology at VLSI Symposium ElectroIQ 2012
  6. "Below 22nm, spacers get unconventional: Interview with ASM" ElectroIQ. Retrieved 2011-05-04.
  7. [1]
  8. [2]
  9. Intel Reinvents Transistors Using New 3-D Structure
  10. Mitmepaisulised transistorid klassikaliste väljatransistorite asendajatena Fyysika.ee, 18 märts 2012
  11. Subramanian V (2010). "Multiple gate field-effect transistors for future CMOS technologies". IETE Technical Review 27: 446–454.
Pärit leheküljelt "w/index.php?title=Mitmepaisuline_seade&oldid=3982251"
Kategooria:

Navigeerimismenüü

Personaalsed tööriistad

Nimeruumid

Variandid

vaatamisi

Veel

Navigeerimine

Trüki või ekspordi